W29C102
64K
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16 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29C102是1兆, 5伏的CMOS只闪组织为64K内存
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16位。该
装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V
PP
is
不是必需的。该W29C102独特的单元架构导致快速编程/擦除操作
具有极低的消耗电流(相对于其他可比较的5伏的闪存
产品) 。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。
特点
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单5伏的编程和擦除操作
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快速页写操作
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低功耗
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每页128个字
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页编程周期: 10 ms(最大值)
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有效的字程序循环时间: 39
µS
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可选的软件保护的数据写入
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快速的芯片擦除操作: 50毫秒
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读访问时间: 70/90/120纳秒
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典型的网页编程/擦除周期: 1K / 10K
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十年的数据保留
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软件和硬件的数据保护
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工作电流:25 mA(典型值)
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µA
(典型值)。
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内部V程序自动计时
PP
GENERATION
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节目结束检测
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切换位
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数据轮询
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锁存地址和数据
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TTL兼容的I / O
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JEDEC标准字宽引脚
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可用的软件包: 40引脚600密耳DIP , TSOP
和44引脚PLCC
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出版日期: 1998年3月
修订A3