W29EE011
128K
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8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29EE011是1兆位, 5伏的CMOS只闪光灯组织成128K存储器
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8位。该
装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V
PP
is
不是必需的。该W29EE011的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作
具有极低的消耗电流(相对于其他可比较的5伏的闪存
产品) 。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。
特点
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单5伏的编程和擦除操作
快速页写操作
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每页128字节
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页编程周期: 10 ms(最大值)
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有效字节的程序循环时间: 39
µS
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可选的软件保护的数据写入
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低功耗
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工作电流:25 mA(典型值)
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µA
(典型值)。
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内部V程序自动计时
PP
GENERATION
节目结束检测
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切换位
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数据轮询
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快速的芯片擦除操作: 50毫秒
读访问时间:一百五十○分之九十零纳秒
网页编程/擦除周期: 1K / 10K
十年的数据保留
软件和硬件的数据保护
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锁存地址和数据
TTL兼容的I / O
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32引脚600密耳DIP ,
TSOP和PLCC
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出版日期: 1999年7月
修订版A12