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W29EE011 参数 Datasheet PDF下载

W29EE011图片预览
型号: W29EE011
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内容描述: 128K ×8 CMOS FLASH MEMORY [128K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 183 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W29EE011
功能说明
读取模式
该W29EE011的读操作是由CE及OE ,这两者都必须是低的受控
主机以获得从输出数据。
CE
用于设备选择。当
CE
为高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 OE是输出控制,用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论CE或OE为高电平。
参考定时波形的进一步细节。
页写模式
该W29EE011被编程以页为单位。每一页包含128个字节的数据。如果一个字节
在页面内的数据将被改变,对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节
这是不加载的页面的编程期间将被删除,以"FFh" 。
通过强制启动写操作
CE
WE
低,
OE
高。写程序包括
的两个步骤。步骤1是字节负载循环,其中,所述主机写入到设备的页缓冲器。
步骤2是一个内部编程周期,在此期间,在页面缓冲器中的数据被同时
写入到非易失性存储器的存储器阵列。
在字节负载周期中,地址由下降沿锁存的任一
CE
or
WE
,
为准过去。该数据由CE或WE的上升沿,取发生锁存
第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器(T
BLC
) 200
µS,
初始字节负载周期之后, W29EE011将停留在页面载入周期。附加字节
然后,可以连续加载。页面载入周期将被终止,并且内部
如果没有额外的字节装入内300页缓冲编程周期将启动
µS
(T
BLCO
)
从最后一个字节的负载周期,即,不存在后续的后最后一个WE高到低转换
上升沿
WE
. A
7
到A
16
指定的页面地址。被加载到页缓冲器中的所有字节
必须具有相同的页面地址。一
0
到A
6
指定的页中的字节地址。五月字节
以任何顺序被加载;不要求顺序装载。
在内部编程周期中,在页缓冲器中的所有数据,即128字节的数据,写入
同时到存储器阵列。在完成内部编程周期之前,
主机可以自由地执行其他任务,如获取系统中的其他位置的数据,以准备
写下一页。
软件保护的数据写
该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是
启用时,任何写操作需要一系列的三字节的程序命令(与特定的数据到
一个特定的地址)的数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令
序列开始页面加载周期,没有它的写操作将不会被激活。这
写方案提供了防止误写入周期,如触发周期最佳的保护
在系统上电和掉电时的噪音。
该W29EE011附带启用该软件的数据保护。要启用该软件的数据
保护方案,执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该
器件将进入软件的数据保护模式,以及任何后续的写操作必须
前面的三字节的程序命令的周期。一旦启用,该软件的数据保护将
保持启用状态,除非禁用指令发出。电源转换不会复位
软件数据保护功能。要重置设备未受保护的模式,一个6字节的命令
序列是必需的。表3列出了具体的规范和图10的时序图。
出版日期: 1999年7月
修订版A12
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