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W29EE011-15 参数 Datasheet PDF下载

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型号: W29EE011-15
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内容描述: 128K ×8 CMOS FLASH MEMORY [128K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 183 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W29EE011
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
ss
潜力
工作温度
储存温度
任何引脚的直流电压对地电位,除了
OE
瞬态电压( < 20纳秒)上的任何引脚对地电位
在OE引脚电压对地电位
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
-0.5到V
DD
+1.0
-1.0到V
DD
+1.0
-0.5至12.5
单位
V
°C
°C
V
V
V
注:暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 5.0V
±10%,
V
SS
= 0V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
电源电流
符号。
I
CC
测试条件
分钟。
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
,
所有I / O开放
地址输入= V
IL
/V
IH
,
在f = 5兆赫
CE
= V
IH
,所有I / O开放
其它输入= V
IL
/V
IH
范围
典型值。
-
马克斯。
50
-
单位
mA
待机V
DD
电流( TTL输入)
待机V
DD
当前
( CMOS输入)
输入漏电流
输出漏
当前
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
SB
1
I
SB
2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
-
-
-
-
-0.3
2.0
-
2.4
2
20
-
-
-
-
-
-
3
100
1
10
0.8
V
DD
+0.5
0.45
-
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
CE = V
DD
-0.3V ,所有I / O开放
其它输入= V
DD
-0.3V/GND
V
IN
= GND到V
DD
V
IN
= GND到V
DD
-
-
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
V
OH
I
OH
= -0.4毫安
上电时序
参数
上电到读操作
上电到写操作
符号
T
PU
.READ
T
PU
.WRITE
典型
100
5
单位
µS
mS
-9-
出版日期: 1999年7月
修订版A12