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    W29EE512T-70 参数 Datasheet PDF下载

    W29EE512T-70图片预览
    型号： W29EE512T-70
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    内容描述： 64K ×8 CMOS FLASH MEMORY [64K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 22 页 / 291 K
    品牌： WINBOND [ WINBOND ]
     浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W29EE512T-70的Datasheet PDF文件第9页  
    W29EE512
    64K
    ×
    8 CMOS FLASH MEMORY
    概述
    该W29EE512是512K位， 5伏的CMOS只闪组织为64K内存
    ×
    8位。该装置
    可以编程和擦除的在系统使用标准的5V电源。一个12伏V
    PP
    不
    所需。该W29EE512的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作与
    极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品） 。该
    设备也可以被编程，并使用标准EPROM编程擦除。
    特点
    •
    单5伏的编程和擦除操作
    •
    快速页写操作
    •
    低功耗
    −
    工作电流： 50毫安（最大）
    −
    待机电流： 100
    µA
    （ MAX 。 ）
    •
    内部V程序自动计时
    PP
    −
    每页128字节
    −
    页编程周期： 10 ms（最大值）
    −
    有效字节的程序循环时间： 39
    µS
    −
    可选的软件保护的数据写入
    •
    快速的芯片擦除操作： 50毫秒
    •
    读访问时间： 70/90/120纳秒
    •
    典型的网页编程/擦除周期： 1K / 10K
    •
    十年的数据保留
    •
    软件和硬件的数据保护
    GENERATION
    •
    节目结束检测
    −
    切换位
    −
    数据轮询
    •
    锁存地址和数据
    •
    TTL兼容的I / O
    •
    JEDEC标准的字节宽引脚
    •
    可用的软件包： 32引脚PLCC ， TSOP和
    VSOP
    -1-
    出版日期： 2002年2月18日
    修订A7

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