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W29EE512T-70 参数 Datasheet PDF下载

W29EE512T-70图片预览
型号: W29EE512T-70
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内容描述: 64K ×8 CMOS FLASH MEMORY [64K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 22 页 / 291 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W29EE512
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
ss
潜力
工作温度
储存温度
任何引脚的直流电压对地电位,除了A9
瞬态电压( ¡
Õ
NS)上的任何引脚对地电位
20
在A9和#OE引脚电压对地电位
等级
-0.5到+7.0
0至+70
-65到+150
-0.5到V
CC
+1.0
-1.0到V
CC
+1.0
-0.5至12.5
单位
V
°C
°C
V
V
V
注:暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
CC
= 5.0V
±10%,
V
SS
= 0V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
符号。
测试条件
分钟。
范围
典型值。
-
马克斯。
50
单位
电源
当前
待机电流VCC
( TTL输入)
待机电流VCC
( CMOS输入)
输入漏
当前
输出漏
当前
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压
CMOS
I
CC
#CE = #OE = V
IL
, #WE = V
IH
,
所有I / O开放
地址输入= V
IL
/V
IH
,在f = 5兆赫
#CE = V
IH
,所有I / O开放
其它输入= V
IL
/V
IH
#CE = V
CC
-0.3V ,所有I / O开放
其它输入= V
CC
-0.3V/GND
V
IN
= GND到V
CC
V
IN
= GND到V
CC
-
-
I
OL
= 2.1毫安
-
mA
I
SB
1
I
SB
2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
-
-
-
-
-
2.0
-
2.4
4.2
2
20
-
-
-
-
-
-
-
3
100
10
10
0.8
-
0.45
-
-
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
V
OH1
I
OH
= -0.4毫安
V
OH2
I
OH
= -100
µA;
V
CC
= 4.5V
-9-
出版日期: 2002年2月18日
修订A7