欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

W49F002U-12B 参数 Datasheet PDF下载

W49F002U-12B图片预览
型号: W49F002U-12B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256K ×8 CMOS FLASH MEMORY [256K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 23 页 / 300 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
 浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W49F002U-12B的Datasheet PDF文件第9页  
W49F002U
256K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W49F002U是2兆, 5伏的CMOS只闪组织为256K内存
×
8位。该
装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V
PP
is
不是必需的。该W49F002U的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作
具有极低的消耗电流(相对于其他可比较的5伏的闪存
产品) 。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。
特点
单5伏的操作:
5伏读
5伏擦除
5伏计划
快速的程序操作:
逐字节编程: 35
µS
(典型值)。
快速擦除操作: 100毫秒(典型值)。
快速读取访问时间: 70/90/120 NS
耐力: 10K周期(典型值)。
十年的数据保留
硬件数据保护
一个16K字节,锁定引导块
保护
两个8K字节的参数块
两个主要的存储器块( 96K , 128K )字节
低功耗
工作电流:25 mA(典型值)
µA
(典型值)。
自动编程和擦除时间与
内部V
PP
GENERATION
编程或擦除检测结束
切换位
数据轮询
锁存地址和数据
TTL兼容的I / O
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32引脚DIP和32引脚
TSOP和32引脚PLCC
-1-
出版日期: 2000年4月
A2版