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    W49F002UP12B 参数 Datasheet PDF下载

    W49F002UP12B图片预览
    型号： W49F002UP12B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8 CMOS FLASH MEMORY [256K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 23 页 / 300 K
    品牌： WINBOND [ WINBOND ]
     浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第13页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第14页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第15页浏览型号W49F002UP12B的Datasheet PDF文件第16页  
    W49F002U
    DC特性
    绝对最大额定值
    参数
    电源电压V
    ss
    潜力
    工作温度
    储存温度
    任何引脚的直流电压对地电位，除了
    OE
    任何引脚瞬态电压（ <20 NS）接地电位
    电压
    OE
    引脚接地电位
    等级
    -0.5到+7.0
    0至+70
    -65到+150
    -0.5到V
    DD
    +1.0
    -1.0到V
    DD
    +1.0
    -0.5至12.5
    单位
    V
    °C
    °C
    V
    V
    V
    注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
    装置。
    直流工作特性
    (V
    DD
    = 5.0V
    ±10%,
    V
    SS
    = 0V ，T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    参数
    符号。
    测试条件
    范围
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    50
    单位
    电源
    当前
    待机V
    DD
    电流（ TTL输入）
    待机V
    DD
    当前
    （ CMOS输入）
    输入漏
    当前
    输出漏
    当前
    输入低电压
    输入高电压
    输出低电压
    输出高电压
    I
    CC
    CE
    =
    OE
    = V
    IL
    ,
    WE
    = V
    IH
    所有的DQ打开
    -
    25
    mA
    地址输入= V
    IL
    /V
    IH
    ，在f = 5兆赫
    I
    SB
    1
    CE = V
    IH
    所有的DQ打开
    其它输入= V
    IL
    /V
    IH
    I
    SB
    2
    CE = V
    DD
    -0.3V ，所有的DQ打开
    其它输入= V
    DD
    -0.3V/GND
    I
    LI
    I
    LO
    V
    IL
    V
    IH
    V
    OL
    I
    OL
    = 2.1毫安
    V
    OH
    I
    OH
    = -0.4毫安
    V
    IN
    = GND到V
    DD
    V
    OUT
    = GND到V
    DD
    -
    -
    -
    -
    -0.3
    2.0
    -
    2.4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    10
    0.8
    V
    DD
    +0.5
    0.45
    -
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    -
    20
    100
    µA
    -
    2
    3
    mA
    - 12 -

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