W49F002U
256K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W49F002U是2兆, 5伏的CMOS只闪组织为256K内存
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8位。该
装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V
PP
is
不是必需的。该W49F002U的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作
具有极低的消耗电流(相对于其他可比较的5伏的闪存
产品) 。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。
特点
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单5伏的操作:
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5伏读
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5伏擦除
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5伏计划
快速的程序操作:
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逐字节编程: 35
µS
(典型值)。
快速擦除操作: 100毫秒(典型值)。
快速读取访问时间: 70/90/120 NS
耐力: 10K周期(典型值)。
十年的数据保留
硬件数据保护
一个16K字节,锁定引导块
保护
两个8K字节的参数块
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两个主要的存储器块( 96K , 128K )字节
低功耗
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工作电流:25 mA(典型值)
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µA
(典型值)。
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自动编程和擦除时间与
内部V
PP
GENERATION
编程或擦除检测结束
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切换位
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数据轮询
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锁存地址和数据
TTL兼容的I / O
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32引脚DIP和32引脚
TSOP和32引脚PLCC
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出版日期: 2000年4月
A2版