W9812G6IH
7.14自动预充电命令
如果A10设置为高的读或写命令发出时，则自动预充电功能
输入。在自动预充电，一个读命令将执行正常的不同之处在于将
有效的银行将开始所有的突发读取周期已经完成前自动预充电。
无论突发长度时，它将开始一定数目的时钟在预定的的端
爆循环。的时钟数是由CAS执行时间来确定。
读或写命令自动预充电不能将整个前一阵被打断
操作完成。因此，使用读，写或在预充电命令禁止
读或写周期，自动预充电。一旦预充电操作已经开始，银行不能
被重新激活，直到预充电时间（t
RP
）已得到满足。问题自动预充电命令是
非法的，如果突发设置为整页篇幅。如果A10为高电平时，写命令发出后，写
具有自动预充电功能被启动。在SDRAM自动进入预充电操作
两个时钟延迟从最后猝发写周期。此延迟被称为写入吨
WR
。银行
进行自动预充电不能被重新激活，直到吨
WR
和T
RP
是满意的。这被称为
t
DAL
，数据到主动延迟（T
DAL
= t
WR
+ t
RP
） 。当使用自动预充电命令，时间间隔
世行激活命令和内部预充电操作必须开始之间
满足t
RAS
（最小值） 。
7.15预充电命令
预充电命令用于预充电或关闭的银行已被激活。该
预充电指令被输入时，
CS
,
RAS
和
WE
低，而且
CAS
高在上升
在时钟的边缘。在预充电命令可以用来单独地或全部预充电每个存储体
银行同时进行。三个地址位， A10， BS0 ，BS1置，用于定义哪些行（s）是对
发出命令时，进行预充电。在发出预充电命令之后，所述预充电
一个新的读或写访问可以被执行之前，银行必须重新激活。之间的延迟
预充电命令与激活命令必须大于或等于所述预充电时间
(t
RP
).
7.16自刷新命令
自刷新命令由具有限定
CS
,
RAS
,
CAS
和CKE保持低配
WE
高在时钟的上升沿。所有银行都必须是之前发布的自刷新命令处于闲置状态。
一旦命令被注册， CKE必须保持低电平以保持设备处于自刷新模式。
当SDRAM进入自刷新模式中，所有的外部控制信号，除了CKE ，是
禁用。时钟是在自刷新操作在内部禁用，以节省电力。该设备将
CKE后退出自刷新操作返回高。最小延迟时间是必需的当
器件退出自刷新操作和下一个命令之前，可以发出。这个延迟是相等
到T
AC
循环时间再加上自刷新退出时间。
如果，在正常操作期间，自动刷新周期中的脉冲串发出的（而不是被均匀地
分布式） ，一阵4,096自动刷新周期应该只是在进入和完成
只是后退出自刷新模式。自动刷新命令和下一之间的周期
命令为t指定
RC
.
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出版日期：六月05 ， 2008
修订版A03
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