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W981616AH-8 参数 Datasheet PDF下载

W981616AH-8图片预览
型号: W981616AH-8
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内容描述: X16 SDRAM\n [x16 SDRAM ]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 40 页 / 1275 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W981616AH
功能说明
电源和初始化
模式寄存器的默认开机状态是不确定的。下面的电和
初始化序列需要遵循以保证该设备被预调节到每个用户
在上电期间,所有V的特定需求
CC
和V
CC
Q引脚必须同时上升到了
规定的电压,当输入信号在"NOP"状态保持。上电电压不得
超过V
CC
+ 0.3V任何输入引脚或V
CC
耗材。上电后, 200的初始暂停
µS
需要之后使用预充电命令所有银行的预充电。为了防止数据
争上电时的DQ总线上,它需要的DQM和CKE引脚保持高电平
在初始暂停时段。一旦所有的银行都已预充电,该模式寄存器设置
命令必须发出初始化模式寄存器。另外一个8自动刷新周期
(CBR) ,也需要之前或之后进行编程的模式寄存器,以确保适当的后续
操作。
编程模式寄存器
经过初始上电时,模式寄存器设置命令必须为器件正常工作发出。
所有银行都必须在预充电状态和CKE一定要高,至少一个周期的模式之前,
寄存器设置命令才能发出。该模式寄存器设置命令被激活低
信号
RAS
,
CAS
,
CS
WE
在时钟的正边缘。在地址输入数据
这个周期定义的参数将被设置为显示在模式寄存器的操作的表。新
命令可以按照延迟等于t的模式寄存器设置命令,一旦发出
RSC
已过。请参阅模式寄存器设置周期和操作表的下一个页面。
行激活命令
该行激活命令必须在任何浏览之前应用或写操作可以被执行。
该操作类似于
RAS
激活EDO DRAM 。从银行激活时,延迟
命令被施加到在第一读或写操作开始必须不小于所述RAS
到CAS的延迟时间(t
RCD
) 。一旦一家银行被激活,必须另一家银行之前进行预充电
激活命令可以发出相同的银行。连续之间的最小时间间隔
通过该装置的RAS周期时间(t确定银行激活命令相同的银行
RC
).
交错激活银行之间的最小时间间隔命令(银行A到B银行和
反之亦然),是银行对银行的延迟时间(t
RRD
) 。各银行可持有的最大时间
活跃​​被指定为t
RAS
(最大) 。
读取和写入访问模式
后一组已被激活,进行读或写周期可以遵循。这是通过
最小的t后设置RAS高, CAS低在时钟上升沿
RCD
延时。 WE引脚电压
级别定义了存取周期是读操作( WE高) ,或者在写操作(WE低)。
地址输入确定的起始列地址。读取或写入到不同的行内
激活银行要求银行进行预充电和新银行激活命令发出。
当一个以上的银行被激活,交错的银行读或写操作是可能的。通过
使用编程的突发长度和交替之间的访问和预充电操作
多组,其中许多不同的页面无缝数据访问操作可以实现。读
或写命令,也可以发到同一银行或活跃银行间的每个时钟
周期。
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