W986416CH
1M ×16位×4银行SDRAM
特点
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3.3V ± 0.3V电源
高达166 MHz的时钟频率
1,048,576字× 4组×16位的组织
自动刷新和自刷新
CAS延迟： 2和3
突发长度：1 ，2，4 ，8，和全页
突发读取，写入单一模式
通过UDQM和LDQM控制字节数据
掉电模式
自动预充电和预充电控制
4K刷新周期/ 64ms的
接口： LVTTL
包装： TSOP II 54针， 400万 - 0.80
概述
W986416CH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM） ，组织为1兆字×4库x
16位。采用流水线架构和0.20um制程技术， W986416CH提供高达332M的数据带宽
字节每秒（-6） 。对于不同的应用， W986416CH被分类为四个速度等级： -6 ， -7 ， -75和-8H 。 -6件
可以运行多达166MHz的/ CL3 。 -7部件可运行多达143MHz下/ CL3规范。在-75部件可运行多达PC133 / CL3
规范。该-8H部分可以运行高达125MHz / CL3或PC100 / CL2规范。
访问到SDRAM是突发式。在一个页面上连续的存储位置可以在一个脉冲串长度进行访问
1，2， 4，8或当银行和行被选中的主动命令的全部页。自动生成的列地址
在突发操作SDRAM的内部计数器。随机读取的列，也可以通过在每一个时钟提供其地址
周期。在多个银行特性使内部银行之间交错隐藏预充电时间。
通过具有可编程的模式寄存器，系统可以改变脉冲串的长度，延迟周期，交织或顺序脉冲串
最大限度地发挥其性能。 W986416CH非常适用于高性能应用的主存储器。
主要参数
符号
t
CK
t
AC
t
RP
t
RCD
I
CC1
I
CC4
I
CC6
描述
时钟周期时间
从CLK访问时间
预充电到激活命令
激活到读/写命令
工作电流（单银行）
突发工作电流
自刷新电流
最小/最大
民
最大
民
民
最大
最大
最大
-6
6ns
5ns
18ns
18ns
80mA
130mA
1mA
-7
7ns
5.4ns
20ns
20ns
65mA
115mA
1mA
-75(PC133)
7.5ns
5.4ns
20ns
20ns
65mA
115mA
1mA
-8H(PC100)
8ns
6ns
20ns
20ns
60mA
110mA
1mA
修订版1.2
-1-
出版日期： ， 1999年6月
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