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型号: 2SC1047
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内容描述: 硅外延平面型晶体管(概述) [Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 84 K
品牌: WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]
   
2SC1047
概述
硅外延平面晶体管
高频,高功率晶体管在一个塑料
包络线,主要用于在音频和一般用途
用途
快速参考数据
符号
MT-100
条件
V
BE
= 0V
典型值
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
T
mb
25
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.4A
I
F
= 4.0A
I
C
=4.0A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=60V
-
-
-
-
-
-
1.5
0.35
最大
160
140
12
100
3
2.0
1.0
单位
V
V
A
A
W
V
V
s
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基oltage (开colloctor )
集电极电流( DC )
基极电流(DC)的
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
-
-
-
-
-
-55
-
TMB 25
最大
160
140
6
12
3
100
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
CESAT
h
FE
f
T
C
c
t
on
t
s
t
f
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率在f = 5MHz时,
集电极电容在f = 1MHz的
在次
TUM -断存储时间
下降时间
条件
V
CB
=160V
V
EB
=5V
I
C
=1mA
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.4A
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 1A ; V
CE
= 12V
V
CB
= 10V , F = 1MHZ
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=60V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=60V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=60V
典型值
-
-
-
50
5
210
最大
0.2
0.2
140
2
200
-
-
单位
mA
mA
V
V
兆赫
pF
us
us
us
0.35
1.0
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