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型号: 2SD1088
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内容描述: 硅NPN三重DIFFUSED晶体管(概述) [SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 1 页 / 66 K
品牌: WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]
   
2SD1088
概述
硅NPN三重DIFFUSED晶体管
高压开关应用。
点火器的应用程序。
快速参考数据
符号
TO-220
条件
V
BE
= 0V
最大
300
250
6
30
单位
V
V
A
A
W
V
V
s
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
T
mb
25
-
-
-
-
-
-
I
F
= 4.5A
I
CSAT
= 4.5A ; F = 16KHz的
-
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基oltage (开colloctor )
集电极电流( DC )
基极电流(DC)的
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
-
-
-
-
-
-55
-
最大
300
250
6
1
30
150
150
单位
V
V
A
A
W
TMB 25
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
CESAT
h
FE1
h
FE2
C
c
t
on
t
s
tf
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容在f = 1MHz的
在次
TUM -断存储时间
下降时间
条件
VCB = 300V ; V
E
=0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 0.5A , L = 40mH
I
C
= 4A ;我
B
= 0.04A
I
C
= 4A ,V
CE
= 2V
I
C
= 2A ; V
CE
= 2V
V
CB
= 10V
-
-
250
-
200
2000
最大
0.5
0.5
2..0
-
-
1
8
5
单位
mA
mA
V
V
pF
us
us
us
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