2SD1409
概述
硅NPN达林顿晶体管
达林顿晶体管被设计为用作
通用放大器，开关和电机
控制应用。
快速参考数据
符号
TO-220F
条件
V
BE
= 0V
民
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
二极管的正向电压
下降时间
T
mb
25
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.04A
f=16KHZ
I
F
=3A
I
C
=4.0A,I
B1
=-I
B2
=0.04A,V
CC
=100V
-
-
-
-
-
-
2.5
最大
600
400
6
12
25
2.0
5
6.0
单位
V
V
A
A
W
V
A
V
s
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
TMB 25
民
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
最大
600
400
6
12
1
2
25
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
电气特性
符号
I
CE
I
CES
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
V
F
f
T
C
c
t
s
t
f
参数
集电极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极电压satuation
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率在f = 1MHz的
集电极电容在f = 1MHz的
开关时间（ 16KHz的行deflecton电路）
关闭存储时间关断下降时间
条件
V
EB
=0V,V
CE
=V
CESMmax
V
EB
=0V,V
CE
=V
CESMmax
T
j
=125
I
B
=0A,I
C
=100mA
L=25mH
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.04A
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.04A
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
I
F
=3A
I
C
=2A,V
CE
=10V
V
CB
= 50V
I
C
=4.0A,I
B1
=-I
B2
=0.04A,V
CC
=100V
I
C
=4.0A,I
B1
=-I
B2
=0.04A,V
CC
=100V
民
最大
0.5
3.0
单位
mA
mA
V
2.0
1.5
600
2.5
5
5.0
50
10
6.0
V
V
V
兆赫
pF
s
s
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