2SD1911
概述
硅扩散型功率晶体管
高电压，高速的切换npn型晶体管
塑料外壳集成了高效二极管， prim-
arily于彩色的水平偏转circuites使用
电视接收器
快速参考数据
符号
TO-3PFM
条件
V
BE
= 0V
典型值
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
二极管的正向电压
下降时间
T
mb
25
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.8A
F = 16kHz的
I
F
= 4.5A
I
CSAT
= 4.0A ; F = 16KHz的
-
-
-
-
-
-
4.5
1.6
最大
1500
600
5
10
50
5
-
2.0
1.0
单位
V
V
A
A
W
V
A
V
s
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
TMB 25
民
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
最大
1500
600
5
10
50
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
电气特性
符号
I
CE
I
CES
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
V
F
f
T
C
c
t
s
t
f
参数
集电极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极电压satuation
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率在f = 5MHz时，
集电极电容在f = 1MHz的
开关时间（ 16KHz的行deflecton电路）
关闭存储时间关断下降时间
条件
V
BE
= 0V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0V; V
CE
= V
CESMmax
T
j
= 125
I
B
= 0A ;我
C
= 100毫安
L = 25mH
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.8A
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.8A
I
C
= 1.0A ; V
CE
= 5V
I
F
= 4.5A
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
V
CB
= 10V
Ic=4A,IB(end)=0.8A,VCC=105V
Ic=4A,IB(end)=0.8A,VCC=105V
典型值
-
-
-
-
-
8
1.6
3
110
0.7
最大
1.0
2.5
单位
mA
mA
V
5.0
1.5
2.0
-
-
-
1.0
V
V
V
兆赫
pF
s
s
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