2SD717
概述
硅外延平面晶体管
硅NPN高频，高功率晶体管
in
一个塑料外壳，主要用于在音频使用和
通用
快速参考数据
符号
TO-3P(I)D
条件
V
BE
= 0V
典型值
最大
70
70
10
80
2
2.0
1.0-
单位
V
V
A
A
W
V
V
s
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
T
mb
25
I
C
= 4.0A ;我
B
=0.4A
I
F
= 3.5A
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
-
-
-
-
-
-
1.5
0.4
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基oltage （开colloctor ）
集电极电流（ DC ）
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
民
-
-
-
-
-
-55
-
TMB 25
最大
70
70
5
10
2.5
80
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
f
T
C
c
t
on
t
s
t
f
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率在f = 5MHz时，
集电极电容在f = 1MHz的
在次
TUM -断存储时间
下降时间
条件
V
CB
=70V
V
EB
=5V
I
C
=1mA
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.4A
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 1A ; V
CE
= 12V
V
CB
= 10V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
典型值
-
-
70
-
50
10
350
0.3
2.5
0.4
最大
0.2
0.2
3
240
-
-
单位
mA
mA
V
V
兆赫
pF
us
us
us
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