BU406D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU406D
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内容描述：	NPN外延硅晶体管（高电压切换使用在水平偏转输出级） [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE)]
分类和应用：	晶体晶体管开关输出元件高压局域网
文件页数/大小：	1 页 / 25 K
品牌：	WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]

BU406D

NPN

外延硅晶体管

高压开关IN USE

水平偏转输出级

TO-220

绝对最大额定值（T

=25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - EmitterVoltage

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流派克

基极电流（DC）的

集电极耗散（TC = 25 ° C）

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TSTG

等级

400

150

-65~150

单位

°C

电气特性（Ta = 25℃）

Characterristic

集电极截止电流（ VBE = 0 ）

发射极截止电流（ IC = 0 ）

集电极 - 发射极饱和电压

基地 - 发射极饱和电压

电流增益带宽产品

打开-O FF时间

符号

冰

IEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

花花公子

测试条件

VCE = 400V ， VEB = 0

VEB = 6V ，

IC=0

IC=5A,

IB=0.5A

IC=5A,

IB=1.2A

VCE = 10V ， IC = 500毫安

IC=5A,

IB=0.5A

IC=5A,

IB=0.8A

IC=6A,

IB=1.2A

民

典型值

最大

1.2

1.5

单位

兆赫

µS

0.75

0.4

永诚电脑配件有限公司，（香港）有限公司。

主页：

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