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BU406 参数 Datasheet PDF下载

BU406图片预览
型号: BU406
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内容描述: NPN外延硅晶体管(高电压切换使用在水平偏转输出级) [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE)]
分类和应用: 晶体晶体管开关输出元件高压
文件页数/大小: 1 页 / 27 K
品牌: WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]
   
BU406/406H/408
NPN
外延硅晶体管
高压开关IN USE
水平偏转输出级
TO-220
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - EmitterVoltage
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流派克
基极电流(DC)的
集电极耗散( TC = 25
°C
)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
TSTG
等级
400
200
6
7
10
4
60
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性(Ta = 25℃)
C
Characterristic
集电极截止电流(V
BE
=0)
符号
I
CES
测试条件
V
CE
= 400V , V
EB
=
0
V
CE
= 250V , V
EB
=
0
V
CE
= 250V , V
EB
=
0
Tc=150
V
EB
= 6V ,
I
C
=
0
I
C
=5A,
I
B
=0.5A
I
C
=5A,
I
B
=0.8A
I
B
=1.2A
I
C
=6A,
I
C
=5A,
I
B
=0.5A
I
C
=5A,
I
B
=0.8A
I
C
=6A,
I
B
=1.2A
V
CE
= 10V ,
I
C
=500mA
I
C
=5A,
I
B
=0.5A
I
C
=5A,
I
B
=0.8A
I
C
=6A,
I
B
=1.2A
典型值
最大
5
100
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.5
单位
mA
µ
A
mA
mA
V
V
V
V
V
V
发射极截止电流(I
C
=0)
集电极发射极饱和电压: BU406
: BU406H
: BU408
基地 - 发射极饱和电压
: BU406
: BU406H
: BU408
电流增益带宽产品
打开-O FF时间
: BU406
: BU406H
: BU408
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
关闭
10
0.75
0.4
0.4
兆赫
µ
S
µ
S
µ
S
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