MJ15015
概述
硅外延平面晶体管
硅NPN高频，高功率晶体管
在一个金属外壳，主要用于在音频使用和
通用
TO-3
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
条件
V
BE
= 0V
典型值
T
mb
25
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.4A
I
F
= 4.0A
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
-
-
-
-
-
-
1.5
最大
200
120
15
180
1.5
2.0
6.0
单位
V
V
A
A
W
V
V
s
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基oltage （开colloctor ）
集电极电流（ DC ）
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
民
-
-
-
-
-
-55
-
TMB 25
最大
200
120
5
15
7
180
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
f
T
C
c
t
on
t
s
t
f
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率在f = 5MHz时，
集电极电容在f = 1MHz的
在次
TUM -断存储时间
下降时间
条件
V
BE
= 0V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0V; V
CE
= V
CESMmax
T
j
= 125
I
C
= 4.5A ;我
B
= 1.6A
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
V
CB
= 10V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
I
C
=4A,I
B
1=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
典型值
-
-
120
-
30
3
最大
0.2
0.2
1.5
150
-
600-
4.5
3.0
6.0
单位
mA
mA
V
V
兆赫
pF
us
us
us
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