S8050
特点
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
A
I
CM
: 0.5
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 40 V
电动
晶体管（ PNP ）
TO-92
1.发射器
2.基
3.收集
1 2 3
CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
（
℃
符号
电压
电压
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE（1）
除非另有规定编）
）
TEST
条件
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
85
50
0.6
1.2
1.4
I
C
= 20mA下
150
兆赫
V
V
V
民
40
25
5
0.1
0.1
0.1
300
典型值
最大
单位
V
V
V
参数
集电极 - 基
击穿
IC = 100
μA
,
IC = 0.1毫安，
I
E
= 100
μ
A，
V
CB
= 40
V
CE
= 20
V
EB
=
5
V,
V,
V，
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 基
击穿
当前
当前
当前
电压
集电极截止
集电极截止
辐射源
截止
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
= 1 V,
V
CE
= 1 V,
I
C
= 50毫安
I
C
= 500毫安
DC
当前
增益（注）
H
FE（2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和
基射极电压
电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
E
= 100毫安
V
CE
= 6 V,
过渡
频率
f
T
f =
30MHz
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
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