S8550
晶体管（ PNP ）
TO-92
特点
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
A
I
CM
:
-
0.5
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-
40 V
1 2 3
1.发射器
2.基
3.收集
电动
CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
（
℃
符号
电压
电压
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE（1）
除非另有规定编）
）
TEST
条件
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
85
50
民
典型值
最大
单位
V
V
V
参数
集电极 - 基
击穿
IC 。
-
100
μA
,
IC 。
-
0.1毫安，
I
E
=
-
100
μ
A，
V
CB
=
-
40
V
CE
=
-
20
V
EB
=
-
3
V
CE
=
-
1 V,
V
CE
=
-
1 V,
V,
V,
V，
-
40
-
25
-
5
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 基
击穿
当前
当前
当前
电压
集电极截止
集电极截止
辐射源
截止
-
0.1
-
0.2
-
0.1
300
μ
A
μ
A
μ
A
I
C
= 50毫安
I
C
= 500毫安
DC
当前
增益（注）
H
FE（2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和
基射极电压
电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
I
C
=
-
500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
=
-
500毫安，我
B
= 50毫安
I
E
=
-
100mA
V
CE
=
-
6 V,
I
C
=
-
20mA
150
-
0.6
V
V
V
-
1.2
-
1.4
过渡
频率
f
T
兆赫
f =
30MHz
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
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