S8550LT1
高压晶体管（ PNP ）
特点
模具尺寸
0.44*0.44mm
功耗
P
CM
：为225mW （环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
I
CM
: 0.5A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 40V
PNP外延硅晶体管
SOT—23
—
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
（
℃
）
参数
集电极 - 基
击穿
电压
电压
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE（1）
测试条件
IC = 100μA ，我
E
=0
IC = 1 mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
= 150毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 500毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
民
30
21
5.0
典型值
最大
单位
V
V
V
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 基
击穿
当前
当前
电压
集电极截止
辐射源
截止
1.0
100
120
40
500
1.2
1.0
400
µA
nA
DC
当前
增益（注）
H
FE（2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和
基射极电压
电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE（上）
mV
V
V
分类h及
FE(1)
秩
范围
B9C
120-200
B9D
160-300
B9E
280-400
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