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    2N5551 参数 Datasheet PDF下载

    2N5551图片预览
    型号： 2N5551
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 133 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
       
    RoHS指令
    2N5551
    2N5551
    特点
    功耗
    晶体管（ NPN ）
    TO-92
    P
    CM
    : 0.625
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    1.发射器
    集电极电流
    I
    CM
    : 0.6
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    : 180 V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    2.基
    3.收集
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极
    电压
    击穿
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    除非另有规定编）
    TEST
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    W
    跃迁频率
    分类h及
    FE(2)
    秩
    范围
    A
    80-160
    B
    120-180
    C
    150-250
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    R
    T
    IC = 100
    µ
    A，I
    E
    =0
    IC = 100
    µ
    A，I
    B
    =0
    I
    E
    = 100
    µ
    A，I
    C
    =0
    O
    条件
    N
    C
    I
    C
    6
    1 2 3
    O
    L
    ,
    .
    V
    V
    V
    D
    T
    民
    180
    160
    典型值
    最大
    单位
    V
    CB
    = 180 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 4 V，I
    C
    =0
    0.1
    0.1
    80
    80
    50
    0.5
    1
    80
    250
    µ
    A
    µ
    A
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 50毫安
    I
    C
    = 50 mA时，我
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 50 mA时，我
    B
    = 5毫安
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 10毫安，
    f =
    30MHz
    V
    V
    兆赫
    f
    T
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