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    2N7002T 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002T图片预览
    型号： 2N7002T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET（ N通道） [MOSFET ( N-Channel )]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 196 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
     浏览型号2N7002T的Datasheet PDF文件第2页  
    RoHS指令
    2N7002T
    2N7002T
    特点
    功耗
    MOSFET
    （ N沟道）
    SOT-523
    1.门
    P
    D:
    0.15 W（环境温度Tamb = 25℃）
    集电极电流
    I
    D:
    115毫安
    集电极 - 基极电压
    60 V
    V
    DS
    :
    工作和存储结温范围
    T
    J,
    T
    英镑：
    -55 °C至+ 150 °
    标记： 72
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压*
    门体漏*
    *
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    日（ GS ）
    l
    GSS
    2.源
    3.排水
    除非
    TEST
    零栅极电压漏极电流*
    通态漏电流
    *
    漏源导通电阻*
    转发TRAN导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    W
    开关
    开启时间
    打开-O FF时间
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    *
    I
    DSS
    R
    T
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =10µA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250µA
    V
    DS
    =0V, V
    GS
    =±20V
    O
    条件
    N
    否则
    C
    I
    C
    60
    1
    O
    L
    ,
    .
    最大
    D
    T
    特定网络版）
    民
    典型值
    单位
    V
    nA
    2
    ±10
    1
    V
    DS
    =60V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =60V,V
    GS
    =0V,T
    j
    =125
    ℃
    V
    GS
    =10V, V
    DS
    =7.5V
    V
    GS
    = 5V ，我
    D
    =50mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =500mA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =200mA
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    80
    22
    11
    2
    500
    1000
    3.2
    4.4
    µA
    500
    mA
    7.5
    13.5
    Ω
    ms
    50
    25
    5
    pF
    I
    D（上）
    R
    DS(0n)
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    T
    D（上）
    T
    D（关闭）
    V
    DD
    =30V,R
    L
    =150
    I
    D
    =200mA,V
    根
    =10V
    R
    根
    =25Ω
    7
    11
    20
    ns
    20
    *
    脉冲测试。
    永而佳电子有限公司。
    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

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