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型号: 2SB1188
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 134 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
2SB1188
2SB1188
晶体管( PNP )
SOT-89
1.基地
特点
功耗
P
CM
:
0.5
集电极电流
I
厘米:
-2
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
-40
W(环境温度Tamb = 25℃)
A
1
2.收集
2
3.辐射源
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益*
符号
集电极 - 发射极饱和电压*
跃迁频率
输出电容
*
利用脉冲电流测量。
W
分类h及
FE
范围
记号
J
E
E
C
E
L
p
82-180
BCP
R
T
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
O
N
TEST
C
I
C
O
3
-40
-32
-5
L
,
.
最大
D
T
条件
单位
V
V
V
IC = -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50μA ,我
C
=0
V
CB
= -20 V,I
E
=0
V
EB
=-4 V ,
I
C
=0
-1
-1
82
390
-0.8
80
65
µA
µA
V
CE
= -3V ,我
C
= -0.5A
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
CE
=-5V,
I
C
= -0.5A , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE ( SAT )
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
Q
120-270
BCQ
R
180-390
BCR
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