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型号: 2SB766
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 110 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
2SB766
2SB766
晶体管( PNP )
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
1
特点
功耗
P
CM
:
500
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
集电极电流
I
CM
:
-1
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
-30
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
3.
辐射源
除非另有规定编)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
分类h及
FE(1)
Q
85-170
AQ
R
120-240
AR
S
170-340
AS
J
E
E
C
E
L
I
EBO
R
T
O
TEST
条件
IC 。
-10
µA,
I
E
=0
IC 。
-2
妈,我
B
=0
N
C
I
C
O
3
典型值
2
L
,
.
最大
D
T
单位
V
V
V
-30
-25
-5
-0.1
-0.1
85
50
-0.2
-0.85
I
E
=
-10
µA,
I
C
=0
V
CB
=
-20
V,I
E
=0
V
EB
=
-4
V,I
C
=0
µA
µA
h
FE(1)
V
CE
=
-10
V,I
C
=
-500
mA
V
CE
=
-5
V,I
C
=
-1
A
I
C
=
-500
妈,我
B
=
-50
mA
I
C
=
-500
妈,我
B
=
-50
mA
V
CE
=
-10
V,I
C
=
-50
毫安, F = 200MHz的
V
CB
=
-10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
340
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
-0.4
-1.2
V
V
兆赫
f
T
C
ob
200
20
30
pF
范围
记号
永而佳电子有限公司。
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