2SC1815LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC1815LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 67 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

2SC1815LT1

NPN外延硅晶体管

补充2SA1015

集电极电流： IC = 150毫安

在Ta = 25绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散TA = 25 *

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

225

150

-55-150

等级

单位

2.9

1.9

0.95 0.95

2.4

1.3

0.4

在Ta = 25电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

电压＃

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

直流电流增益

击穿

符号

BVCBO

BVCEO

民

典型值

集电极 - 发射极饱和电压

器件总功耗： FR = 1

0.75

0.062in局，减免25 。

脉冲测试：脉冲宽度

300US ，占空比

器件标识：

2SC1815=L6

BVEBO

ICBO

IEBO

的hFE

VCE （ SAT ）

5.0

最大

单位

IC = 1毫安

Ib=0

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

单位：mm

测试条件

IC = 100uA的IE = 0

IE = 100uA的IC = 0

VCB = 50V IE = 0

VEB = 3V IC = 0

VCE = 6V IC = 2毫安

IC = 100毫安IB = 10毫安

100

700

0.30

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