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    2SC2859LT1 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2859LT1图片预览
    型号： 2SC2859LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 98 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
       
    RoHS指令
    2SC2859LT1
    NPN外延硅晶体管
    SOT-23
    便携2W输出放大器
    IN CLASS收音机
    B PUSH - PULL操作
    1
    2
    3
    补
    到2SA1298LT1
    集电极电流： IC = 500毫安
    集电极耗散： PC =为225mW
    （ TC = 25℃ ）
    0.95
    1.
    o
    2.4
    1.3
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    TA = 25℃ *
    结温
    储存温度
    o
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    Ic
    T
    j
    P
    D
    电气特性
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压＃
    发射极 - 基极击穿电压
    集热器
    截止目前
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    W
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    输出电容
    电流增益带宽积
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    R
    T
    T
    英镑
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE
    C
    ob
    f
    T
    O
    N
    100
    100
    C
    I
    等级
    40
    25
    6
    500
    225
    150
    -55-150
    V
    V
    V
    C
    O
    0.4
    O
    O
    1.BASE
    2.EMITTER
    3.COLLECTOR
    2.9
    1.9
    L
    ,
    .
    单位：mm
    o
    D
    T
    0.95
    （ TA = 25℃ ）
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    C
    C
    （ TA = 25℃ ）
    o
    MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
    40
    25
    6
    测试条件
    I
    C
    =我为100uA
    E
    =0
    I
    C
    = 1毫安我
    B
    =0
    I
    E
    =我为100uA
    C
    =0
    毫安V
    CB
    = 35V ，我
    E
    =0
    毫安V
    EB
    = 6V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =5mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =50mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =500mA
    V
    V
    V
    PF
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    CE
    = 1V ，我
    C
    =10mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    45
    85
    30
    0.28
    0.98
    0.66
    9
    100
    190
    o
    160
    300
    0.5
    1.2
    1
    兆赫V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =50mA
    *器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在董事会，减额
    25 C
    #
    脉冲测试：脉宽300US ，占空比
    2%
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    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

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