2SD601LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD601LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 71 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

2SD601LT1

NPN外延硅晶体管

前置放大器，低噪声LEVEL&LOW

补充S9015LT1

集电极电流： IC =百毫安

集电极 - 发射极电压：的Vce = 45V

高总功耗： PC =为225mW

高HFE和良好的线性

在Ta = 25绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散TA = 25 *

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

等级

100

225

150

-55-150

单位

0.95

2.9

1.9

2.4

1.3

0.95

0.4

在Ta = 25电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

电压＃

击穿

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

输出电容

电流增益带宽积

噪声系数

符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

的hFE

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

COB

民

典型值

0.3

单位

兆赫

IC = 1毫安

Ib=0

1.GATE

2.SO URCER

3.DRAIE

单位：mm

最大

测试条件

IC = 100uA的IE = 0

IE = 100uA的IC = 0

VCB = 50V IE = 0

VEB = 5V， IC = 0

VCE = 5V， IC = 1毫安

IC = 100毫安IB = 5毫安

VCE = 5V， IC = 2毫安

VCB = 10V IE = 0 F = 1MHz的

VCE = 5V， IC = 10毫安

VCE = 5V， IC = 0.2毫安

F = 1KHz的卢比= 2Kohm

135

270

1000

1.00

0.58

0.63

2.2

150

270

o.7

3.5

器件总功耗： FR = 1

0.75

0.062in局，减免25 。

脉冲测试：脉冲宽度

300US ，占空比

器件标识：

2SD601LT1=L5

永而佳电子有限公司。

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电子信箱： wej@yongerjia.com

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