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2SD999 参数 Datasheet PDF下载

2SD999图片预览
型号: 2SD999
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 188 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号2SD999的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
2SD999
2SD999
晶体管( NPN )
特点
功耗
P
厘米:
0.5
W(环境温度Tamb = 25℃)
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
集电极电流
I
厘米:
1
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
30
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
除非另有规定编)
TEST
条件
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
分类h及
FE(1)
范围
记号
CM
90-180
CL
135-270
CK
200-400
J
E
E
C
E
L
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
R
T
O
IC 。
100
μA ,我
E
=0
IC 。
1
妈,我
B
=0
I
E
=
100
μA ,我
C
=0
V
CB
=
30
V,I
E
=0
V
EB
=
5
V,I
C
=0
N
C
I
C
O
3
典型值
2
L
,
.
最大
D
T
单位
V
V
V
30
25
5
0.1
0.1
90
50
0.4
1.2
0.6
µA
µA
V
CE
=
1
V,I
C
=
100
mA
V
CE
=
1
V,I
C
=
1
A
I
C
=
1
A,I
B
=
100
mA
I
C
=
1
A,I
B
=
100
mA
V
CE
=
6
V,I
C
=
10
mA
V
CE
=
6
V,I
C
=
10
mA
400
V
CE ( SAT )
V
V
V
兆赫
pF
V
BE (SAT)
V
BE
0.7
130
22
f
T
C
ob
V
CB
=
6
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
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