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    BC847S 参数 Datasheet PDF下载

    BC847S图片预览
    型号： BC847S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 多芯片晶体管（ NPN型） [Multi-Chip TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 233 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
     浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第3页  
    RoHS指令
    BC847S
    多芯片晶体管
    特点
    功耗
    P
    CM
    :
    300
    （ NPN ）
    SOT-363
    毫瓦（环境温度Tamb = 25℃）
    集电极电流
    I
    CM
    : 200
    mA
    集电极 - 基极电压
    V
    V
    （ BR ） CBO
    : 50
    工作和存储结温范围
    T
    J,
    T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    标记： 1C
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    直流电流增益
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    TEST
    除非
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    W
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    h
    FE(1)
    R
    T
    IC 。
    10µ
    A，I
    E
    =0
    IC 。
    10
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    10µ
    A，I
    C
    =0
    O
    条件
    N
    否则
    C
    I
    C
    民
    O
    典型值
    L
    ,
    .
    最大
    D
    T
    特定网络版）
    单位
    V
    V
    V
    50
    45
    6
    15
    110
    630
    0.25
    0.65
    0.58
    V
    CB
    =
    30
    V，I
    E
    =0
    nA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    2
    mA
    I
    C
    =
    10
    妈，我
    B
    =
    0.5
    mA
    I
    C
    =
    100
    妈，我
    B
    =5mA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    2
    mA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    10
    mA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    20
    毫安， F =
    100
    兆赫
    V
    CB
    =
    10
    V，I
    E
    =0,f=
    1
    兆赫
    V
    CE(sat)(1)
    V
    CE(sat)(2)
    V
    BE(1)
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    0.7
    0.77
    200
    2
    V
    BE(2)
    f
    T
    C
    ob
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