BCW68G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BCW68G
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内容描述：	PNP外延硅晶体管 [PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小：	1 页 / 64 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

BCW68G

PNP外延硅晶体管

表面贴装小

信号晶体管

在Ta = 25绝对最大额定值

特征

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散TA = 25 *

结温

储存温度

符号

VCEO

VCBO

TSTG

等级

-45

-60

-800

225

150

-65-150

单位

2.9

1.9

0.95 0.95

2.4

1.3

0.4

在Ta = 25电气特性

特征

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

增益带宽积

符号

器件总功耗： FR = 1

0.75

0.062in局，减免25 。

脉冲测试：脉冲宽度

300US ，占空比2 ％

的hFE

VCE （ SAT ）

民

120

100

最大

400

-1.5

单位

兆赫

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

ü尼特： M M

测试条件

VCE = -1.0V IC = -10mA

IC = -300mA IB = -30mA

VCE = -5V IC = -10mA

f=50MHz

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