BCX20LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BCX20LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小：	1 页 / 69 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

BCX20LT1

NPN外延硅晶体管

通用晶体管

在Ta = 25绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

器件总功耗

FR - 5委员会（ 1 ） TA = 25

减免上述25

器件总功耗

氧化铝基板，（ 2 ） TA = 25

减免上述25

结温

储存温度

TSTG

2.4

150

-55-150

1.8

300

毫瓦/

符号

VCBO

VCEO

VEBO

等级

5.0

500

225

单位

2.9

1.9

2.4

1.3

在Ta = 25电气特性

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

1.总设备损耗： FR = 1

0.75

0.062英寸

2.Alumina=0.4

0.3

0.024in.99.5 ％的氧化铝

符号

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CES

IEBO

ICBO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

民

100

典型值

毫瓦/

单位

0.4

1.GATE

2.SO URCER

3.DRAIE

ü尼特： M M

最大

0.95

测试条件

Ic=10mA

Ib=0

IC = 10uA的IC = 0

VEB = 5V， IC = 0

VCB = 20V IE = 0

VCB = 20V IE = ; 0 T

=150

VCE = 1.0V IC = -100mA

VCE = 1.0V IC = -300mA

VCE = 1.0V IC = -500mA

100

5.0

600

620

1.2

IC = -500mA IB = -50mA

VBE = 1V IC = 500毫安

器件标识：

BCX20LT1=U2

永而佳电子有限公司。

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