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KTB1366图片预览
型号: KTB1366
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 71 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
KTB1366
TO-220F
KTB1366
特点
功耗
P
厘米:
晶体管( PNP )
1.基地
2.收集
3.辐射源
2
W(环境温度Tamb = 25℃)
123
集电极电流
I
厘米:
-3
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
-60
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
除非另有规定编)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
下降时间
贮存时间
J
E
E
C
E
L
t
f
I
EBO
R
T
O
TEST
条件
IC 。
-1
妈,我
E
=0
N
C
I
C
O
典型值
L
,
.
最大
D
T
单位
V
V
V
-60
-60
-7
-100
-100
60
20
-1
-1
9
150
0.5
IC 。
-50
妈,我
B
=0
I
E
=
-1m
A,I
C
=0
V
CB
=
-60
V,I
E
=0
V
EB
=
-7
V,I
C
=0
V
CE
=
-5
V,I
C
=
-0.5
A
V
CE
=
-5
V,I
C
=
-3
A
I
C
=
-2
A,I
B
=
-0.2
A
V
CE
=
-5
V,I
C
=
-0.5
A
V
CE
=
-5
V,I
C
=
-0.5
A
µA
µA
h
FE(1)
200
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
V
V
兆赫
pF
µs
µs
f
T
C
ob
V
CB
=
-10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
I
C
= -2A ,我
B1
=-I
B2
=-0.2A
V
CC
=-30V
t
s
1.7
分类h及
FE(1)
范围
记号
O
60-120
Y
100-200
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