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    MMBT3904T 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3904T图片预览
    型号： MMBT3904T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 135 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
     浏览型号MMBT3904T的Datasheet PDF文件第2页  
    RoHS指令
    MMBT3904T
    MMBT3904T
    特点
    功耗
    P
    厘米：
    0.15
    晶体管（ NPN ）
    SOT-523
    1.基地
    2.辐射源
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    3.收集
    集电极电流
    I
    厘米：
    0.2
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    V
    （ BR ） CBO ：
    60
    工作和存储结温范围
    T
    J,
    T
    英镑：
    -55 °C至+ 150 °
    标记： 1N
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    除非
    TEST
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    W
    噪声系数
    延迟时间
    上升时间
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    h
    FE(4)
    h
    FE(5)
    R
    T
    O
    IC 。
    10µ
    A，I
    E
    =0
    IC 。
    1
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    10µ
    A，I
    C
    =0
    N
    否则
    条件
    C
    I
    特定网络版）
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    C
    60
    40
    6
    40
    70
    100
    60
    30
    O
    L
    ,
    .
    D
    T
    V
    CB
    =
    30
    V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =
    5
    V，I
    C
    =0
    0.05
    0.05
    µ
    A
    µ
    A
    V
    CE
    =
    1
    V，I
    C
    =
    0.1
    mA
    V
    CE
    =
    1
    V，I
    C
    =
    1
    mA
    V
    CE
    =
    1
    V，I
    C
    =
    10
    mA
    V
    CE
    =
    1
    V，I
    C
    =
    50
    mA
    V
    CE
    =
    1
    V，I
    C
    =
    100
    mA
    I
    C
    =
    10
    妈，我
    B
    =
    1
    mA
    I
    C
    =
    50
    妈，我
    B
    =
    5
    mA
    I
    C
    =
    10
    妈，我
    B
    =
    1
    mA
    I
    C
    =
    50
    妈，我
    B
    =
    5
    mA
    300
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    BE(sat)1
    V
    BE(sat)2
    0.2
    0.3
    0.65
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    0.85
    0.95
    f
    T
    C
    ob
    NF
    V
    CE
    =
    20
    V，I
    C
    =
    10
    毫安， F =
    100
    兆赫
    V
    CB
    =
    5
    V，I
    E
    =0,f=
    1
    兆赫
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    c
    =
    0.1
    毫安，
    f=
    1M
    HZ ， RG =
    1
    KΩ
    V
    CC
    =3V, V
    BE
    =0.5V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B1
    =1mA
    V
    CC
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    I
    B1
    = I
    B2
    = 1毫安
    300
    4
    5
    35
    35
    200
    50
    pF
    dB
    nS
    nS
    nS
    nS
    t
    d
    t
    r
    t
    S
    t
    f
    贮存时间
    下降时间
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    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

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