欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT9012LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT9012LT1图片预览
型号: MMBT9012LT1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP外延硅晶体管 [PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 148 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MMBT9012LT1的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
MMBT9012LT1
PNP外延硅晶体管
SOT-23
便携1W输出放大器
IN CLASS收音机
B PUSH - PULL操作
1.
3
1
2
补充9013G
集电极电流: IC = -500mA
高总功耗PC =为225mW
2.9
1.9
0.95
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
T
j
P
D
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压#
集电极 - 发射极饱和电压
W
基射极饱和电压
基射极电压上
*器件总功耗: FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
_
_
#
脉冲测试:脉冲宽度
& LT ;
300US占空比
& LT ;
2%
器件标识:
9012=J6
J
E
E
C
E
L
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
R
T
T
英镑
H
FE1
H
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
O
N
C
I
等级
-40
-20
-5
-500
225
150
-55~150
V
V
V
C
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
L
,
.
单位:mm
D
T
0.95
( TA = 25℃ )
o
单位
V
V
V
mA
mW
O
O
C
C
( TA = 25℃ )
o
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-40
-20
-5
-100
-100
64
30
-0.18 -0.6
-0.95 -1.2
-0.6 -0.67 -0.7
o
条件
I
C
= -100 A I
E
=0
I
C
= -1mA我
B
=0
I
E
= -100 A I
C
=0
V
CB
=-25V, V
C
=0
V
CB
= -3V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-50mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
nA
nA
120
300
V
V
V
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
V
C
e
= -1V ,我
C
=-10mA
永而佳电子有限公司。
HTTP : // www.wej.cn
电子信箱: wej@yongerjia.com