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    MMBT9014LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT9014LT1图片预览
    型号： MMBT9014LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 150 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
     浏览型号MMBT9014LT1的Datasheet PDF文件第2页  
    RoHS指令
    MMBT9014LT1
    NPN外延硅晶体管
    SOT-23
    PRF-放大器，低噪声LEVEL&LOW
    3
    补
    到MMPT9015LT1
    集电极电流IC = 100毫安
    集电极Emiller电压： V
    CE
    =45V
    高Totalpower功耗PC =为225mW
    高寿命和良好的线性
    1
    2
    1.
    2.4
    1.3
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    TA = 25℃ *
    结温
    储存温度
    o
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    电气特性
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基截止电流
    发射基截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极击穿电压＃
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    W
    基射极电压上
    输出电容
    电流增益带宽积
    噪声系数
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    R
    T
    V
    EBO
    Ic
    T
    j
    P
    D
    T
    英镑
    H
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    O
    N
    50
    50
    C
    I
    等级
    50
    45
    5
    100
    225
    150
    -55~150
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    PF
    dB
    C
    O
    0.4
    1.BASE
    2.EMITTER
    3.COLLECTOR
    2.9
    1.9
    L
    ,
    .
    单位：mm
    D
    T
    0.95
    0.95
    （ TA = 25℃ ）
    o
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    O
    O
    C
    C
    （ TA = 25℃ ）
    o
    MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
    50
    45
    5
    条件
    I
    C
    = 100 A I
    E
    =0
    I
    C
    = 1毫安我
    B
    =0
    I
    E
    = 100 A I
    C
    =0
    V
    CB
    =50V, V
    C
    =0
    V
    CB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    V
    C
    e
    = 5V ，我
    C
    =2mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =10mA,f=100MHz
    V
    CE
    = 5V I
    C
    =0.2mA
    F = 1MHz的卢比= 2Kohm
    60
    300 1000
    0.3
    1.00
    6.7
    3.5
    10
    0.58 0.63
    2.2
    150 270
    C
    ob
    f
    T
    兆赫V
    CE
    = 5V I
    C
    =10mA
    NF
    *器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在局减额
    25 C
    #
    脉冲测试：脉冲宽度300US占空比2 ％
    器件标识：
    MMBT9014LT1=L6
    o
    永而佳电子有限公司。
    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

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