MMBT9015LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT9015LT1
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内容描述：	PNP外延硅晶体管 [PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 149 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

MMBT9015LT1

典型特征

（毫安），集电极电流

-50

=-400 A

=-350 A

=-300 A

=-250 A

=-200 A

=-150 A

=-100 A

=-50 A

-1000

-40

，直流电流增益

-30

-100

-20

-10

-0

-0 -2

-4

-6

-8

-10

-12 -14 -16 -18

-20

-10

-0.1

（V ），集电极电压EMMITTER

静态特性

VBE （星期六）， VCE （SAT） [毫伏] ，饱和电压

-1000

（SAT）

FT（兆赫），电流增益带宽积

-100

-10

-0.1

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

（毫安），集电极电流

-1

（SAT）

=20 I

-10

1000

100

-1

（毫安），集电极电流

=-5V

-100

-10

-1000

直流电流增益

=-6V

-100

-1

-10

（毫安），集电极电流

电流增益带宽积

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