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MMBT9018LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT9018LT1图片预览
型号: MMBT9018LT1
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内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 142 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MMBT9018LT1的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
MMBT9018LT1
NPN外延硅晶体管
SOT-23
AM / FM IF放大器,本振子
作者: FM / VHF调谐器
高电流增益带宽
乘积F
T
=1100MHz
1.
3
1
2
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
T
j
P
D
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压#
集电极 - 发射极饱和电压
W
集电极 - 基极电容
集电极 - 增益带宽积
*器件总功耗: FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
#
脉冲测试:脉冲宽度300US占空比2 %
器件标识:
MMBT9018LT1=T33,F3X
J
E
E
C
E
L
R
T
T
英镑
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
O
N
C
I
等级
30
15
5
50
225
150
-55~150
V
V
V
C
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
L
,
.
单位:mm
D
T
0.95
0.95
( TA = 25℃ )
o
单位
V
V
V
mA
mW
O
O
C
C
( TA = 25℃ )
o
符号
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
30
15
5
50
50
28
100
1.3
700 1100
300
0.5
1.7
V
PF
条件
I
C
= 100 A I
E
=0
I
C
= 1毫安我
B
=0
I
E
= 100 A I
C
=0
V
CB
=12V, V
E
=0
V
CB
= 3V ,我
C
=0
V
CB
= 5V ,我
C
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CB
= 10V ,我
E
=10,f=1MHz
nA
nA
H
FE
V
CE ( SAT )
C
ob
f
T
兆赫V
CE
= 5V ,我
C
=5mA
o
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