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MMBTA42LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA42LT1图片预览
型号: MMBTA42LT1
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内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 163 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MMBTA42LT1的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
M M BTA 42 LT1
NPN外延硅晶体管
SOT-23
高VOLTGE TRANDIDTOR
3
到MMBTA92LT1
高集电极 - 发射极电压: VCBO = 300V
集电极电流: IC = 500毫安
o
集电极耗散: PC =为225mW ( TA = 25 ℃)
1
2
1.
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压#
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
W
集电极 - 基极电容
电流增益带宽积
J
E
E
C
E
L
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
R
T
V
EBO
Ic
T
j
P
D
T
英镑
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
O
N
100
100
250
0.5
0.9
3
C
I
等级
300
300
6
500
225
150
-55~150
V
V
V
nA
nA
V
V
PF
C
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
L
,
.
单位:mm
D
T
0.95
0.95
( TA = 25℃ )
o
单位
V
V
V
mA
mW
O
O
C
C
( TA = 25℃ )
o
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
300
300
6
条件
I
C
= 100 A I
E
=0
I
C
= 1毫安我
B
=0
I
E
= 100 A I
C
=0
V
CB
=200V, V
e
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,F = 1MHz的
40
C
ob
f
T
50
兆赫V
CE
= 20V我
C
=10mA
f=100MHz
o
*器件总功耗: FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
#
脉冲测试:脉冲宽度
& LT ;
300US占空比
& LT ;
2%
器件标识:
MMBTA42LT1=1D
永而佳电子有限公司。
HTTP : // www.wej.cn
电子信箱: wej@yongerjia.com