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MMDT2227 参数 Datasheet PDF下载

MMDT2227图片预览
型号: MMDT2227
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内容描述: 多芯片晶体管( NPN / PNP ) [Multi-Chip TRANSISTOR (NPN/PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 209 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MMDT2227的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
MMDT2227
特点
功耗
P
厘米:
MMDT2227
多芯片晶体管( NPN / PNP )
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
集电极电流
I
厘米:
200/-200
mA
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
75/-60
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
NPN2222A电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
TEST
除非另有规定编)
75
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
W
集电极输出电容
噪声系数
J
E
E
C
E
L
I
EBO
h
FE
R
T
O
Ic=1
0
μA ,我
E
=0
IC 。
10
妈,我
B
=0
I
E
=1
0
μA ,我
C
=0
N
C
I
C
40
6
O
L
,
.
D
T
V
CB
=
60
V,I
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
10
10
100
300
0.3
1
nA
nA
V
CE
= 10V ,我
C
=
150
mA
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
I
C
=1
50
妈,我
B
=1
5
mA
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
I
C
=1
50
妈,我
B
=1
5
mA
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
V
CE
=
20
V,I
C
=
20
毫安, F = 100MHz的
V
CB
=
10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
V
CE
=
10
V,I
c
=
0.1
毫安,
f=
1K
HZ ,卢比=
1
KΩ
300
V
V
V
V
兆赫
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
1.2
2
f
T
C
ob
NF
8
4
pF
dB
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