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MMSTA42 参数 Datasheet PDF下载

MMSTA42图片预览
型号: MMSTA42
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 66 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
MMSTA42
SOT-323
MMSTA42
特点
功耗
P
厘米:
晶体管( NPN )
1.
BASE
2.
辐射源
3.
集热器
0.2
W(环境温度Tamb = 25℃)
集电极电流
I
厘米:
0.3
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
310
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
W
基射极饱和电压
跃迁频率
J
E
E
C
E
L
R
T
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
H
FE(3)
O
除非另有规定编)
TEST
条件
310
305
5
0.25
0.1
60
100
75
0.2
0.9
V
V
200
最大
单位
V
V
V
N
C
I
C
O
L
,
.
单位:mm
D
T
IC = 100
µ
A,I
E
=0
IC = 1 mA时,我
B
=0
I
E
= 100
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=30mA
I
C
= 20 mA时,我
B
= 2毫安
I
C
= 20 mA时,我
B
=2mA
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安
µ
A
µ
A
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
f=
30MHz
50
兆赫
器件标识
MMSTA42=K3M
永而佳电子有限公司。
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电子信箱: wej@yongerjia.com