RoHS指令
BCW31
特点
*
低电流（ 100毫安）
*
低电压（ 32V ）
*
通用swithching和放大
在Ta = 25绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散TA = 25 *
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEB
Ic
P
D
Tj
TSTG
等级
32
32
5
100
250
150
-65-150
单位
V
V
V
0.95
2.9
1.9
1.
2.4
1.3
mA
mW
在Ta = 25电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
电压＃
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基射极电压
击穿
符号
BVCBO
BVCEO
民
32
32
典型值
集电极电容
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
W
J
E
*
#
基射极饱和电压
跃迁频率
E
C
E
L
R
T
ICBO
IEBO
VBE
COB
的hFE
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
f
T
F
BVEBO
5
O
N
最大
C
I
单位
V
V
V
nA
uA
nA
mV
pF
mV
C
O
0.4
1.GATE
2.SO URCER
3.DRAIE
0.95
L
,
.
D
T
单位：mm
测试条件
IC = 100uA的IE = 0
IC = 2毫安IB = 0
IE = 100uA的IC = 0
VCB = 32V， IE = 0
VCB = 32V， IE = 0 TJ = 100
VEB = 5V， IC = 0
IC = 2毫安的Vce = 5V
IE = 0 = Vcb的10V F = 1MHz的
VCE = 5V， IC = 10uA的
100
10
100
700
550
2.5
190
110
120
210
750
850
100
220
250
VCE = 5V， IC = 2毫安
IC = 10毫安IB = 0.5毫安
Ic=50mA
Ib=2.5mA
mV
IC = 10毫安IB = 0.5毫安
IC = 50毫安IB = 2.5毫安
VCE = 5V， IC = 10毫安
f=100MHz
IC = 200uA的Vce = 5V卢比= 2K
F = 1kHz时B = 200Hz的
兆赫
10
噪声系数
dB
器件总功耗： FR = 1
X
0.75
X
0.062in局，减免25 。
脉冲测试：脉宽300US ，占空比2 ％
器件标识：
BCW31=D1t
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