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    5HB03N8 参数 Datasheet PDF下载

    5HB03N8图片预览
    型号： 5HB03N8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V SO8互补增强型MOSFET的H桥 [30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 1953 K
    品牌： WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
     浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第9页  
    5HB03N8
    30V SO8互补增强型MOSFET的H桥
    摘要
    设备
    V
    （ BR ） DSS
    Q
    G
    R
    DS （ ON）
    25m
    Ω
    @ V
    GS
    = 10V
    N沟道
    30V
    9.0nC
    45m
    Ω
    @ V
    GS
    = 4.5V
    50m
    Ω
    @ V
    GS
    = -10V
    P沟道
    -30V
    12.7nC
    75m
    Ω
    @ V
    GS
    = -4.5V
    -3.3A
    3.9A
    -4.1A
    I
    D
    T
    A
    = 25°C
    5.0A
    描述
    这种新一代的互补MOSFET的H桥
    具有低导通电阻可实现低栅极驱动。
    P1G
    P1S/P2S
    P2G
    特点
    •
    •
    2× N + 2× P通道的SOIC封装
    低电压（ V
    GS
    = 4.5 V ）栅极驱动
    P1D/N1D
    P2D/N2D
    应用
    •
    •
    N1G
    N2G
    直流电机控制
    直流 - 交流逆变器
    N1S/N2S
    订购信息
    设备
    5HB03N8
    带尺寸
    （英寸）
    13
    胶带宽度
    (mm)
    12
    QUANTITY
    每卷
    2,500
    器件标识
    世界粮食首脑会议
    5HB03N8
    问题1.0 - 2010年4月
    1
    插件
    insemi半导体有限公司

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