K2611B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	K2611B
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 1005 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

K2611B

硅N沟道MOSFET

特点

■

11A ， 900V ，R

DS （ ON）

(Max1.10Ω)@V

=10V

■

超低栅极电荷（典型值72nC ）

■

快速开关能力

■

100％的雪崩测试

■

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这种N沟道增强型功率场效应晶体管

使用Winsemi专有的，平面条形， DMOS生产

技术。这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩和

换流模式。这些装置非常适用于高效率

开关模式电源。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温

储存温度

通道温度

2.38

150

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

45.6

±30

1000

4.0

300

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

900

单位

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结-to -Case

热阻，结到 - 环境

价值

民

典型值

最大

0.42

单位

℃/W

Rev.A的Nov.2011

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