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MCR100-8 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MCR100-8
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内容描述: 可控硅整流器器 [Silicon Controlled Rectifiers]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 6 页 / 399 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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MCR100-8
敏感栅
可控硅整流器器
特点
■敏感的门极触发电流:I
GT
= 200uA最大
■低通态电压: V
TM
= 1.2 (典型值) @我
TM
■低反向和正向阻断电流:
I
DRM
/I
PRM
=100uA@TC=125℃
■低保持电流:我
H
= 5毫安最大
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序,其中
栅极电流限制,如微控制器,逻辑综合
电路中,小型电机控制,用于大型可控硅门极驱动,传感
和检测电路。
通用开关和相位控制应用
绝对最大额定值
( TJ = 25 ℃除非另有规定)
符号
V
DRM
/V
RRM
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
I
2
t
P
GM
的di / dt
P
G( AV )
I
FGM
V
RGM
T
J,
T
英镑
参数
重复峰值断态电压
通态电流有效值( 180
o
导通角)
通态平均电流( 80
o
导通角)
不重复浪涌峰值通态电流
TP = 10毫秒
对于融合I了价值
峰值功率门
通态电流临界上升率
I
TM
= 2A ;我
G
= 10毫安;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
储存温度
T
J
=125℃
T
A
=25℃
T
A
=25℃
T
A
=25℃
TP = 8.3毫秒
Note(1)
TI=85℃
TI=85℃
TP = 8.3毫秒
价值
600
0.8
0.5
9
单位
V
A
A
A
8
0.41
0.1
50
0.01
1
5
-40~125
-40~150
A
2
s
W
A / μs的
W
A
V
注1 :
虽然不建议,断态电压高达800 V可以无损伤被应用,但可能晶闸管
开关电流的上升上state.The率应不大于15 A / μs的。
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
-
-
价值
典型值
-
-
最大
75
200
单位
℃/W
℃/W
订购信息
订购代码
MCR100-8
MCR100-8-T
TO126
TO126
记号
100-8
100-8
无卤
NO
NO
包装
REEL
牧师B2
Jun.2009
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