MCR100-6
敏感栅
SIT
可控硅整流器器
ilico
RECT
特点
EAT
■敏感的门极触发电流：I
GT
= 200uA最大
■低通态电压： V
TM
= 1.2 （典型值） @我
TM
■低反向和正向阻断电流：
I
DRM
/I
PRM
■低保持电流：我
H
= 5毫安最大
概述
escri蒂奥
愿（死者）安息
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流限制，如微控制器，逻辑综合
电路中，小型电机控制，用于大型可控硅门极驱动，传感
和检测电路。
通用开关和相位控制应用
绝对最大额定值
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
IMU
ING
符号
V
DRM
/V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
的di / dt
I
TM
= 2A ;我
G
= 10毫安;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J,
T
英镑
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
储存温度
重复峰值断态电压
通态电流有效值（ 180
o
导通角）
通态平均电流（ 80
o
导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
TP = 10毫秒
对于融合I了价值
峰值功率门
通态电流临界上升率
T
J
=125℃
T
J
=125℃
T
J
=125℃
T
J
=125℃
50
0.1
1
5
-40~125
-40~150
A / μs的
W
A
V
℃
℃
TP = 8.3毫秒
8
0.41
2
A
2
s
W
参数
Note(1)
TI=85℃
TI=85℃
TP = 8.3毫秒
价值
400
0.8
0.5
9
单位
V
A
A
A
注1 ：
虽然不建议，断态电压高达800 V可以无损伤被应用，但可能晶闸管
注1 ：
开关电流的上升上state.The率应不大于15 A / μs的。
热特性
rmal查法里斯
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
民
-
-
价值
典型值
-
-
最大
60
150
单位
℃/W
℃/W
修订版B1 Jun.2009
T01-3
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
