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    SBW13009-K 参数 Datasheet PDF下载

    SBW13009-K图片预览
    型号： SBW13009-K
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    内容描述： 高压快速开关NPN功率晶体管 [High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor]
    分类和应用： 晶体开关晶体管高压
    文件页数/大小： 5 页 / 435 K
    品牌： WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
     浏览型号SBW13009-K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SBW13009-K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SBW13009-K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SBW13009-K的Datasheet PDF文件第5页  
    SBW13009-K
    SBW13009-K
    电气特性
    (Tc=25℃
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    除非另有说明）
    参数
    集电极发射极击穿电压
    测试条件
    Ic=10mA,Ib=0
    Ic=5.0A,Ib=1.0A
    Ic=8.0A,Ib=1.6A
    价值
    民
    400
    典型值
    -
    最大
    -
    1.0
    单位
    V
    -
    -
    2.0
    3.0
    V
    V
    CE （ SAT ）
    集电极发射极饱和电压
    Ic=12A,Ib=3.0A
    Ic=8.0A,Ib=1.6A
    Tc=100℃
    Ic=5.0A,Ib=1.0A
    -
    -
    2.0
    1.2
    1.6
    1.5
    10
    40
    30
    10
    0.8
    V
    V
    BE （ SAT ）
    基射极饱和电压
    Ic=8.0A,Ib=1.6A
    Tc=100℃
    -
    -
    8
    5
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4
    V
    uA
    Ic=8.0A,Ib=1.6A
    -
    -
    V
    I
    EBO
    的hFE
    ts
    tf
    f
    T
    发射基截止电流
    直流电流增益
    贮存时间
    下降时间
    电流增益带宽积
    Veb=9V,Ic=0V
    Vce=5V,Ic=5.0A
    Vce=5V,Ic=8.0A
    V
    CC
    =5.0V,Ic=0.5A
    (UI9600)
    Vce=10V,Ic=0.5A
    µs
    兆赫
    注意：
    脉冲测试：脉冲宽度300 ，占空比2 ％
    2/5
    稳定，让你提前

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