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型号: SCH4C60S
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内容描述: 可控硅整流器器 [Silicon Controlled Rectifiers]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 5 页 / 487 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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SCH4C60S
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压: 600V
R.M.S通态电流(I
T( RMS )
= 4 A )
低导通电压( 1.6V (典型值) @我
TM
)
G
A
K
概述
敏感的栅极触发可控硅是适合应用
其中,要求高的双向阻断电压能力
同时也适用于过电压保护器,马达控制CIR
CUIT
在电动工具,浪涌电流限制电路和加热控制
系统。
TO202-3
绝对最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
G( AV )
I
FGM
T
J
T
英镑
条件arameter
P
重复峰值断态电压
平均通态电流( 180 °
导通角)
R.M.S通态电流( 180 °
导通角)
浪涌通态电流
I
2
吨融合
通态电流临界上升率
正向峰值门功耗
正向平均栅极电源
耗散
正向栅极峰值电流
工作结温
储存温度
T
i
=60 °C
环境温度Tamb = 25°C
T
i
=60 °C
环境温度Tamb = 25°C
1/2周期, 60Hz的正弦
WAVE
不重复
T = 10ms的
F = 60Hz的, TJ = 125°C
条件
NGS
评级
600
1.35
0.9
4
1.35
33
4.5
50
0.5
单位
V
A
A
A
A
2
s
A/㎲
W
W
A
°C
°C
Tj=125
°C
0.2
1.2A
-40-125
°C
-40-150
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻结到外壳( DC )
热阻结到环境( DC )
价值
15
100
单位
℃/W
℃/W
一月2009.第0版
版权所有@WinSemi半导体有限公司,保留所有权利。
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